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我国首条光子芯片产线,无需EUV光刻机,提升万倍性能

 电子芯技术

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国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备,预计将于2023年在京建成,可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求,有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。

据悉,光子芯片是光电子器件的核心组成部分,与集成电路芯片相比存在多处不同。例如:

从性能而言,光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍,且功耗更低。

从材料而言,InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料,而集成电路一般采用硅片。

从制备而言,光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性,但侧重点在于外延设计与制备环节,而非光刻环节。

这也决定了光子芯片行业中,IDM模式是主流,有别于标准化程度高、行业分工明确的集成电路芯片。

值得一提的是,相较于电子芯片,光子芯片对结构的要求较低,一般是百纳米级,因此降低了对先进工艺的依赖。中科鑫通总裁隋军也表示,光子芯片使用我国已相对成熟的原材料及设备就能生产,而不像电子芯片一样,必须使用EUV等极高端光刻机。

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