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金刚石作为自然界中热导率最高的材料，可达2000W/mK，采用高导热率的金刚石作为GaN基功率器件的散热衬底或者热沉有望改善其“自热效应”，实现高频､高功率的应用的不二之选，可以实现非常接近芯片的有效导热面。然而，将这两种东西结合在一起是很难的。金刚石基GaN器件的技术难点在于金刚石和GaN之间的界面热阻、晶格失配、热应力、CVD生长的纳米晶体金刚石的低导热。CVD生长一般在七八百摄氏度，因为GaN和金刚石的热膨胀系数的差异，当器件冷却到常温时，界面处会有很大的热应力从而使器件破裂。
