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三代半功率器件突破!鸿海9月量产1200V 碳化硅MOSFET

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在昨日举行的2022年度鸿海科技日(HHTD22)上,鸿海科技在发布全新电动汽车的同时,也展示了其面向电动汽车的第三代半导体碳化硅(SiC)器件研发成果,不仅已具备量产SiCMOSFET的能力,还启动了开发8英寸SiC晶圆的工作。

据鸿海科技现场工作人员介绍,鸿海正积极布局面碳化硅功率元件,第三季度已启动开发8吋SiC晶体,旗下鸿扬半导体自主开的发1200V碳化硅为基础的金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET),已在9月开始产出,并结合不同功率元件设计。

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