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中评社香港7月9日电，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心之前通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K／金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。 据《中国科学报》报道，由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。尽管是22纳米技术，但在当时的情况下已标志着中国加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部，其意义十分重大。
