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三星宣布,236层3D NAND量产

 芯闻速递

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三星今天宣布,它已经开始批量生产其 大概为 236 层的 3D NAND 存储器,该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新 IC 具有 2400 MTps 的传输速度,当与高级控制器结合使用时,它们可以实现传输速度超过 12 GBps 的客户端级 SSD。

新的第 8 代 V-NAND 设备具有 1Tb 容量(128GB),三星称其为业界最高的位密度,但没有透露 IC 的尺寸或实际密度。该 IC 还具有 2400 MTps 的数据传输速率,这对于  配备 PCIe 5.0 x4 接口 的最佳 SSD至关重要, 一旦与适当的控制器配对,将提供惊人的12.4 GBps (或更高!)

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