电子放大镜
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11月2日，瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。 这款SiC MOSFET是专为汽车电子而设计的高可靠性、高品质和高性能器件，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，最大电流(Ids)为111A@25℃，工作温度范围是-55℃-175℃，非常适合新能源汽车主电机驱动，能显著提高主驱系统的功率密度，减少磁性组件体积和重量，简化电路设计，从而显著减少系统总成本。 值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。
