鷙燾
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（1）认识IGBT 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）功率场效应管与双极型（PNP或NPN）管复合后的一种新型复合型器件，它综合了场效应管开关速度快、控制电压低和双极型晶体管电流大、反压高、导通时压降小等优点，是目前颇受欢迎的电力电子器件。目前国外高压IGBT 模块的电流/电压容量已达2000A/3300V，采用了易于并联的NPT工艺技术，第四代IGBT产品的饱和压降Uce（空）显著降低，减少了功率损耗；美国IR公司生产的WrapIGBT开关速度最快，工作频率最高可达150kHz。绝缘栅双极型晶体管IGBT已广泛应用于电动机变频调速控制、程控交换机电源、计算机系统不停电电源（UPS）、变频空调器、数控机床伺服控制等。 IGBT是由MOSFET与GTR复合而成的，其图形符号如图2-45所示。IGBT是由栅极G、发射极C、集电极E组成的三端口电压控制器件，常用N沟道IGBT内部结构简化等效电路如图2-45（b）所示。IGBT的封装与普通双极型大功率三极管相同，有多种封装形式，如图2-46所示。 简单来说，IGBT等效成一只由MOSFT驱动的厚基区PNP型三极管，如图2-47（b）所示。N沟道IGBT简化等效电路中RN为PNP管基区内的调制电阻，由N沟道MOSFET和PNP型三极管复合而成，导通和关断由栅极和发射极之间驱动电压Uae决定。当栅极和发射极之间驱动电压Ucm为正且大于栅极开启电压Uat（a）时，MOSFET内形成沟道并为PNP型三极管提供基极电流，进而使IGBT导通。此时，从P+区注入N-的空穴对（少数载流子）对N区进行电导调制，减少N-区的电阻Ry，使高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP型三极管的基极电流被切断，IGBT即关断。 （2）IGBT模块检测与应用电路 IGBT晶体管检测可扫二维码学习。 ①单单元的检测 检测时，利用万用表R×10挡测IGBT的C-E、C-B和B-E之间的阻值，应与带阻尼管的阻值相符。若该IGBT组件失效，集电极和发射极、集电极和栅极间可能存在短路现象。 注意IGBT正常工作时，栅极与发射极之间的电压约为9V，发射极为基准。 若采用在路测量法，应先断开相应引脚，以防电路中内阻影响，造成误判断。 ②多单元的检测 检测多单元时，先找出多单元中的独立单元，再按单单元检测。 ③IGBT的应用电路 IGBT应用于电磁炉电路如图2-48所示。图中VT1、VT2为IGBT功率管，受电路控制，工作在开关状态，使加热线盘产生电磁场，对锅进行加热。
