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近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑团队利用研发的垂直晶体管新工艺，制备出高性能的单晶沟道3D NOR闪存器件。该器件上下叠置的晶体管既具单晶硅沟道的高性能优势，又具三维一体集成的制造成本低的优点。
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