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0.35微米650V氮化镓制程,正式进入量产

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近日,世界先进公司(世界先进积体电路股份有限公司)宣布,其领先的八寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程(GaN-on-QST)已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证,正式进入量产,为特殊积体电路制造服务领域首家量产此技术的公司。

该氮化镓晶圆于快充市场的应用上,针对65W以上的快充产品,其系统效率已达世界领先的水准。此外,基于QST基板的良好散热特性,在整体快充方案效能上,世界先进公司提供的氮化镓晶圆具有更优良的散热表现。

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