数码界的艺术家
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微尺寸发光二极管 (Micro-LED) 因其在高分辨率显示器、可穿戴设备和 VR/AR头盔中的潜在应用而引起了广泛的关注。然而，它们的器件性能会受限于传统侧向结构Micro-LED，其两个电极往往处于 p-GaN 侧。在此，我们开发了可转移的硅基垂直结构Micro-LED，其两个电极相对，具有更好的散热性，并且比传统的侧向结构Micro-LED 亮度高 60%。 研究人员进一步开发了一种新型的双面胶带辅助转移工艺，使这些垂直结构Micro-LED 能够以简单而可靠的方式完全转移到聚酰亚胺胶带上。结合基于低熔点图案化铟合金的键合方案，这些转印在胶带上的 Micro-LED 可以进一步集成到具有共p电极的硅背板上。最后，通过形成连接到每个像素的n电极，从而首次制备出具有单独寻址阴极的新型倒置垂直结构Micro-LED显示器。
