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近日,北京航空航天大学程群峰教授课题组采用一种有序致密化策略,协同消除MXene薄片之间的空隙,同时加强层间电子传输。首先插入小的MXene薄片以填补多层大薄片之间的空隙,然后通过钙离子和硼酸盐离子的界面桥接来消除剩余的空隙,包括单层薄片之间的空隙。 得到的MXene薄膜(SDM)结构紧凑,具有较高的抗拉强度(739MPa)、杨氏模量(72.4 GPa)、电导率(10336 S cm-1)和电磁屏蔽能力(71801 dB cm2 g-1),以及优异的抗氧化性能和热伪装性能。该方法为其他二维薄片的高性能组装提供了一种途径。