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近日，北京大学与中镓半导体、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。 实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对制备得到的GaN材料进行了表征，证明了乙烯气源的掺杂效率比传统甲烷气源高40倍。在相同测试温度下比较了现有报道的半绝缘衬底参数，使用乙烯制备的其中一个半绝缘氮化镓样品达到了目前报道的最高GaN体电阻率。
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