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法国国家科学研究中的一组研究人员最近研究一种方法，可以在由硅或砷化镓制成的半导体芯片的三维空间内的任何地方进行3D激光写入，微电子工业可以利用整个芯片表面。 当超快激光器的强光聚焦在半导体内时，沿光束路径的高效非线性电离产生不透明等离子体，阻止其达到足够的能量局域化以进行材料写入。该团队的方法绕过了这些强非线性效应与超快脉冲爆发（如图）。
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