芯圈那些事
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传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力。 其密度的提高主要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。由于极紫外光刻设备复杂且对我国形成了高度的技术垄断与封锁，在现有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管(CFET) 技术对我国重要意义凸显。 然而，全硅基CFET的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。因此，研发与我国主流技术高度兼容的CFET器件与集成，对于我国自主发展新型集成电路技术具有重要意义。 复旦大学微电子学院的周鹏教授，包文中研究员及信息科学与工程学院的万景研究员，创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管技术。 该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。 该技术在相同的工艺节点下将集成电路的集成密度翻倍，并获得了优越的器件性能。
