芯圈那些事
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近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所和中国计量科学研究院报道了采用在绝缘衬底表面气相催化辅助生长石墨烯，制备高计量准确度的量子霍尔电阻标准芯片的研究工作。 与传统砷化镓基二维电子气（2DEG）相比，石墨烯中的2DEG在相同磁场下量子霍尔效应低指数朗道能级间隔更宽，以其制作的量子霍尔电阻可以在更小磁场、更高温度和更大电流下工作，易于计量装备小型化。科研人员采用氢气退火处理得到具有表面台阶高度约为0.5nm的碳化硅衬底，以硅烷为气体催化剂，乙炔作为碳源，在1300℃条件下，生长出高质量单层石墨烯。该温度条件下，衬底表面台阶可保持在0.5nm以下。采用这一方法制备的石墨烯可以制成量子电阻标准器件。
