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MOS控制比较高的电压时为什么需要慢开通

 酱香饼

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图片描述:
1路稍大的电阻和pF级别电容使MOS慢开通。
2路小电阻和二极管提供低阻抗放电路径,使MOS快关断。
(注:这个mos上端是变压器的原边线圈,是整流桥过来的310V电,这是个控制反激隔离电源的管子)
我的问题:
1.为什么要使管子导通慢呢?这样米勒平台不就长了吗?快开快关不好吗?
2.看资料说是控制高压时如果dV/dt太大容易振荡,但是快关不也是dV/dt很大么,快关就不振荡了?
 
怎么理解这个应用场景需要慢开快关呢?

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G极电压超过4V,难怪MOSFET会导通。这是因为MOSFET的寄生参数在作怪。         这种情况的危害是什么?实际上,MOS必须有一个驱动电路,要么开,要么关。问题在于启动,或者说关机,最重要的是启动。此时你的驱动电路还没有通电。但输入上电时,由于驱动电路不工作,G级电荷无法释放,容易导致MOS导通击穿。那么如何解决呢?  
如果驱动器是一个理想的脉冲源,那么它的驱动能力是无限的,它想提供多少电流就能提供多少电流。然而,在实践中,驱动器具有内阻,假设其内阻为10欧姆。在10V电压下,能提供的最大峰值电流为1A,一般认为其驱动能力为1A。      
MOS理论上是电压控制器件,但需要高速的时候,要很大的驱动电流,因为栅极电容的存在,导通就是需要给电容充电。光耦电流太小了,所以速度起不来。
这个问题,需要连同反激工作方式还有变压器一起考虑,反激电路中的变压器,初级总有一定分布电容,另外还有次级反射到初级的电容,包括整流二极管电容。
在初级过程中会有一定的分布电容。驱动器在一个理想的条件下,它的驱动能力是无限的,但在实际过程中,驱动器是有内阻的。其驱动能力大多数是1A。
mos工作原理可能为利用绝缘栅极下的p型区,与源漏之间的扩散电流,和电场在垂直方向上的不同导电特性来工作的。
mos工作原理可能为利用绝缘栅极下的p型区,与源漏之间的扩散电流,和电场在垂直方向上的不同导电特性来工作的。
我的想法是因为驱动器具有内阻,假设其内阻为10欧姆。在10V电压下,能提供的最大峰值电流为1A。

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