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复旦大学团队将新型的二维原子晶体，成功引入传统的硅基芯片制造当中，成功实现了对于CFET晶体管技术的突破，这将有效帮助国产芯片摆脱EUV工艺的依赖！ 复旦大学选择从芯片设计上入手，对能够大幅提升密度的三维叠层互补晶体管（CFET）技术进行研发，硅基二维异质集成叠层晶体管技术被提出，引入到传统的硅基芯片制造当中，4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管成功制备，集成密度在同等节点上实现翻倍，优越的器件性能直接体现了出来。
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