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日前，国内存储行业迎来重大喜讯，由至讯创新完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片研制成功，预计将于明年年初全面投放市场。这是国内存储行业的跨越式突破，技术水平已赶超国际一流。 这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片。产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装。既可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。通过技术的创新实现了芯片面积缩小40%，I/O速度提升25%，擦写周期提升70%，芯片性能超越国内同类竞品。
