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根据台积电之前的消息,3nm节点上至少有5代衍生版工艺,分别是N3、N3P、N3S、N3X及N3E,其中N3工艺是最早量产的,但是这版工艺遭到客户弃用,很大可能就放弃了,明年直接上N3E工艺。 对比N5工艺,N3功耗可降低约25-30%,性能可提升10-15%,晶体管密度提升约70%。N3E在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围,对比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%,或者可以将晶体管密度提升60%,密度上甚至更低了一些。
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