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近期，应用材料宣布开发「冷场发射（cold field emission，CFE）」技术且已达成商品化。该突破性电子束（eBeam）成像技术可协助芯片制造商更好地检测与成像出纳米级埋藏的缺陷，以加快次世代闸极全环（Gate-All-Around，GAA）逻辑芯片，以及更高密度DRAM和3D NAND闪存的开发和制造。
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