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华为已提交了一项涵盖极紫外（EUV）光刻扫描仪的专利申请，解决了芯片制造最后一步由极紫外光的微小波长引起的问题。该专利提供了一种光刻装置，通过不断改变相干光形成的干涉图样，使得照明视场在曝光时间内的积累光强均匀化，从而达到匀光的目的，继而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。 如果华为制造出这样的扫描仪并能实现不错的生产力，运行时间和产量都达到标准，中国芯片制造商就可以生产采用7纳米以下技术的芯片。
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