回复芯闻速递：每一次科技上重大突破，都将是下一波投资的集中营。以后稀土材料更加重要了，这个器件好像是一种多种稀土化合物制作的
芯闻速递
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作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度（写速度）所决定。研究表明，相变存储器的热稳定性越差，结晶速度越快，而单质锑（Sb）是目前已知热稳定性最差的相变材料，可能具有最快的操作速度。 中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠和朱敏研究团队等通过分子动力学计算，发现单质锑能够在120 ps内从非晶结构中成核并进一步完全结晶。 通过制备200 nm、120 nm和60 nm T型下电级器件的单质锑相变存储器件，研究发现随着器件尺寸减小，单质锑相变存储器的速度越快。200 nm单质锑器件最快的写速度为359 ps，当器件尺寸微缩至60 nm时，写速度为~242 ps, 比传统Ge2Sb2Te5的快近100倍（20 ns）。
