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Vmos关断时的高脉冲如何抑制?

 酱香饼

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做一个电瓶充电器,开始一切似乎还算顺利,但最后遇到了vmos关断的时候,有一个高达100v的电压尖峰脉冲(此时平均充电电流仅约0.8A),我尝试着调整了输入电阻、在DS之间增加了RC吸收电路(的确消除了关闭时的震荡)、也在G极和D极增加过穿心磁珠,我虽用的是洞洞板,但焊接线应该说已经很短了,然,一切无济于事,真不知道这个脉冲如何消除?特请各位大神帮忙看看,先谢过。
另外,Vmos发热明显,通电5分钟肯定摸不得(散热器表面积83cm2),是否是Q1功耗过大?
其中Vr为实测电流特意加的一个电阻。
实际线路板(洞洞板)焊接如图二
Vds的波形如图三:(f=16kHz,占空比约4%)关闭时高脉冲达到110v,有点夸张。
用示波器测Vr,视作电流吧,波形如下。简单估算在关断点瞬态电流达1.4v/0.034Ω=41.18A,不知道对不对?

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双闭环调速系统在稳态工作中,当两个调节器都不饱和时,PI调节器工作在线性调节状态,作用是使输入偏差电压在稳态时为零。
因为脉冲群干扰不仅仅是一个传导干扰,更麻烦的是它还含有辐射的成分,不同的安装位置,辐射干扰的逸出情况各不相同,难以捉摸。
安装位置不同,辐射干扰的逸出情况也不相同,并且两个调节器都处于不饱和状态时,PI调节器工作在线性的调节状态是可以使输入偏差电压在稳态时处于零的状态。
我认为图中的pi调节器在线性调节状态时输入偏差,电压在稳态时为零值,这种双闭环调速系统提高了电路整体的稳定性。
考虑到它的安装位置不同,它辐射感应的情况也是不同的,可以尝试对两个条件进行一个详细的设计,如果它处于不好的状态的话,可以让它调理状态,输入一个平衡电压,让它处于0的状态
安装位置不同,辐射干扰的逸出情况也不相同,并且两个调节器都处于不饱和状态时,PI调节器工作在线性的调节状态是可以使输入偏差电压在稳态时处于零的状态。

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