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哪位电气大神能讲解一下PN结的形成过程？只知道P型半导体是由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴； N型半导体是由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。 PN结的形成过程是怎样的？

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2023-02-09 22:23:37

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清风挽

PN 结的形成如果一块半导体的两部分分别掺杂形成 P 型半导体和 N 型半导体, 在它们的交界面处就形成了 PN 结。交界面处存在载流子浓度的差异,会引起载流子的扩散运动, 如图 2. 3( a)所示。P 区空穴多,电子少; N 区电子多,空穴少。

紫芹

会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体（N指negtive，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。

早起鸟

PN结的形成 PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。

雅醉

在P型半导体和N型半导体交界处,由于P型半导体中的空穴多于电子,N型半导体中的电子多于空穴,所以,在交界面附近将产生多数载流子的扩散运动。P区的空穴向N区扩散,与N区的电子复合;N区的电子向P区扩散,与N区的空穴复合。由于这种扩散运动,N区失掉电子产生正离子,P区得到电子产生负离子,结果在界面两侧形成了由等量正、负离子组成的空间电荷区。在这个区域内,由于多数载流子已扩散到对方并复合掉,好像耗尽了一样,因此,空间电荷区又称为耗尽层。由于空间电荷区的形成,建立了由N区指向P区的内电场。显然,内电场对多数载流子的扩散运动起阻碍作用,故空间电荷区也称为阻挡层。同时,内电场有助于少数载流子的漂移运动,因此,在内电场作用下,N区的空穴向P区漂移,P区的电子向N区漂移,其结果是使空间电荷区变窄,内电场削弱。显然,扩散运动与漂移运动是对立的,当二者的运动达到动态平衡时,空间电荷区的宽度便基本稳定下来。这种宽度稳定的空间电荷区称为PN结。

鷙燾

PN 结的形成如果一块半导体的两部分分别掺杂形成 P型半导体和N型半导体，在它们的交界面处就形成了PN结。交界面处存在载流子浓度的差异,会引起载流子的扩散运动，如图2.3(a)所示。P区空穴多，电子少；N区电子多，空穴少。

北京东路的日子

我的想法是交界面处存在载流子浓度的差异,会引起载流子的扩散运动，