芯圈那些事
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2023年2月，日本产业技术综合研究所 (AIST)与东京都立大学联合宣布，已经成功在二硫化钼 (MoS2) 上形成了层状材料三碲化二锑 (Sb2Te3)，并 制造的 n 型 MoS2晶体管具有足够的耐热性以承受半导体制造过程。 一种称为过渡金属二硫化物（TMDC）的材料具有二维晶体结构，作为下一代晶体管沟道的半导体材料受到关注，因为它即使在 1 纳米或更小的原子层区域也能保持高导电性。然而，公共金属电极与MoS2界面之间的高接触电阻阻碍了晶体管性能的提升。
