电子放大镜
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应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明博士说：“DRAM、SRAM、NAND这些传统的存储器，已经有几十年历史了，它们还在一直在向前发展，不断更新换代，尺寸越来越小，成本越来越低，性能越来越强。”但是已经开始出现无法超越的“墙”，新型存储应运而生。 全新的存储器MRAM，ReRAM，PCRAM，相对于传统存储器来说，具有很多方面独特的优势，能够在计算系统层级实现更优的计算性能、功耗和成本。 用新型的存储器跟现在传统的存储器结合，就可以实现更好的“近存储器计算”。同时，这些新型存储器又可为将来的发展，也就是“存储器内计算”（In-MemoryCompute）打下基础。“存储器内计算”就是把存储跟处理整合到一起，存储就是计算、计算就是存储，这样两者之间就没有数据传输，没有数据传输就没有延时、没有功耗。所以，“存储器内计算”可以在性能和功耗上达到显著提升。预计未来两年到五年，“存储器内计算”会逐步的发展和应用。而最先进的可能是一些新型的类脑计算，叫“高性能计算”，这项技术可能需要更长的时间才能实现。
