LED信号灯
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韩国科学技术院（KAIST）院长李光炯22日宣布，由电气电子工程系Sang-Hyun Kim教授领导的团队通过改变“外延结构”，解决了Micro LED器件小型化趋势下效率降低的问题。 KAIST研究团队介绍，要制造Micro LED，必须通过蚀刻工艺切割堆叠在晶圆上的氮化镓晶体的外延结构以形成像素。蚀刻过程伴随着基于等离子体的过程，而等离子体会导致像素侧出现缺陷。 像素尺寸越小，分辨率越高，这些缺陷的不利影响就越大，Micro LED 器件效率大大降低。在过去，会随着外延结构的生长，然后对缺陷进行后处理，这种改善程度是有限的。 KAIST研究团队重新研究了小型化过程中器件效率下降的现象，Sang-Hyun Kim 教授认为，效率下降是 Micro LED 小型化的障碍，可以通过外延结构设计来解决它。
