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作为HBM的开拓者，SK海力士宣布，已经全球率先研发出12层堆叠的HBM3内存，单颗容量就能达到24GB。 SK海力士在新品上使用了名为“高级批量回流模制底部填充”(MR-MUF)的技术，将多颗芯片放置在下层基板上，通过回流焊一次性粘合，同时使用用模塑料填充芯片之间或芯片与基板之间的空隙。 同时还有经典的TSV硅穿孔技术，将单颗芯片的厚度减少了40％，从而在容量增加50％的情况下，保持整体厚度不变。
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