回复电子聊聊看：SiC属于新兴半导体材料技术，这方面，中国与国际领先水平之间的差距不像第一、二代半导体那么大，有望在不久的将来赶上国际先进水平
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中科院物理所陈小龙团队又一次公布他们在SiC方面的研发新成果： 4月18日，中科院物理所在期刊上发表了关于采用液相法生长3C-SiC衬底的技术文献。 文献提到，该团队是通过在4H-SiC衬底上生长3C-SiC单晶，技术成果超出了以往理论预期，通过这项技术，他们能够持续稳定地生长高质量和大尺寸的3C-SiC晶体——直径为2~4英寸，厚度为4.0~10毫米。 该团队认为，该技术拓宽了异质晶体生长的机制，并为3C-SiC晶体的大规模生产提供了可行的途径，未来3C-SiC功率器件性能有望比目前主流的4H-SiC更好。
