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东京都立大学的科学家们已经成功地设计出过渡金属二硫化物的多层纳米结构，这些纳米结构在平面内相遇以形成连接。他们从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘生长出多层二硫化钼结构，形成厚的、键合的平面异质结构。他们证明，这些可用于制造新的隧道场效应晶体管 (TFET)，即具有超低功耗的集成电路中的组件。
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