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3D X-DRAM芯片密度是传统芯片的八倍

 微观人

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初创公司 NEO Semiconductor 表示,其 3D X-DRAM 技术可以生产 230 层的 128Gbit DRAM 芯片——是当前 DRAM 密度的八倍。

全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM™ 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺,这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。如果没有 3D X-DRAM™,该行业将面临潜在的等待数十年,应对不可避免的制造中断,并减轻不可接受的产量和成本挑战。3D X-DRAM™ 是满足由 ChatGPT 等下一波人工智能 (AI) 应用推动的对高性能和大容量存储器半导体需求增长的必要解决方案。

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