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麻省理工新突破:直接在硅晶圆上“长出”二维材料

 电子放大镜

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现在,麻省理工学院的工程师们已经开发出一种突破性的技术,可以直接在硅晶圆上生长二维材料,而不损害它们。2023年1月18日发表在《自然》杂志上的一篇论文中报告了这项技术,它使用了一种低温工艺,将原子沉积在涂有 "掩膜 "的硅片上,引导二维层的生长。其结果是一种完美的、单晶的二维材料,可以与硅电路集成,创造出更密集、更强大的芯片。

研究人员通过在一个8英寸的硅片上生长一种被称为过渡金属二氯化物(TMDs)的二维材料来展示他们的技术。然后他们用TMD层制造了一个简单的晶体管,并表明它可以比同样大小的硅晶体管运行得更快、更有效。

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回复电子放大镜:看了半天还以为是我们国家突破的呢?美国的进步对我们没有好处。
回复电子放大镜:实验室阶段,要量产不知道到猴年马月了,很奇怪的一个现象,美国但凡发表实验室的突破发现,很长时间美国都无法量产,而中国都量产很久了。
回复电子放大镜:那是不是跟脑部运作模式一样的?从一层到多层形成立体多维空间,行路也更多元多方向?

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