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3D X-DRAM路线图:2030年达到1Tb芯片密度

 电子芯技术

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总部位于圣何塞的 NEO Semiconductor推出了 3D X-DRAM。这项获得专利的 DRAM 技术雄心勃勃,旨在“解决 DRAM 的容量瓶颈并取代整个 2D DRAM 市场”。根据公司路线图,到 2030 年在 DRAM 中应用类 3D NAND DRAM 单元阵列将交付 1Tb 内存 IC。

1Tb IC 意味着可以相对轻松地将 2TB 装到单个 DIMM 上——每面有八个芯片的双面 DIMM 可以实现。使用 32 个 IC 的 4TB 也是可能的。

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回复电子芯技术:又不是服务器工作站整1TB有啥用 就比如给你16车道一辆车 8车道一辆车 4车道一辆车 1车道一辆车 有啥区别?
回复电子芯技术:苹果15系列马上要来了 最高 售价据说会达到2万 现在的手机 没有太大的技术更新 所以 感觉会有2tb

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