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西数和铠侠将公布300层3D NAND闪存技术

 芯圈那些事

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NAND闪存进入3D时代之后,提高容量的方式主要靠堆栈层数了,2022年几大原厂已将层数提升到232层以上,再下一个目标就是超过300层,而且要继续提高性能,西数、铠侠就公布了相关信息。

在2023年的VLSI集成电路会议上,他们将发布最新的研究论文,介绍8平面3D闪存以及堆栈层数可以超过300层的闪存。

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