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三星计划量产4F2 DRAM,芯片面积可再减少30%

 微观人

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据韩媒The Elec报道,知情人士称,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F2 DRAM。公司目标是将4F2 DRAM存储单元应用于10纳米以下的DRAM制程,以目前的技术预计会面临线宽缩减的极限。

据报道,如果三星4F2DRAM存储单元结构研究成功,在不改变节点的情况下,与现有的6F2DRAM存储单元结构相比,芯片DIE面积可以减少30%左右,将面临线宽减小的极限。

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