中国领先的工业平台

返回贤集网 返回微头条
贤集网技术微头条APP获取

韩国计划开发High NA光刻胶,匹配2nm及以下光刻机

 彩虹科技

下载贤集网APP入驻自媒体

据韩国和台湾多家媒体报道,韩国光刻胶制造商Dongjin Semichem计划在2023年下半年开发用于High NA(NA=0.55)EUV曝光的光刻胶。

据他们透露,ASML计划在2025年开始提供High NA EUV曝光设备的量产型号,用于2纳米以下半导体的量产,而Dongjin Semichem将在2025年上半年应对这一趋势。

最新回复
发布回复
回复彩虹科技:AMAT期待通过该技术提高EUV工艺的生产效率。他还解释说,正在与三星电子、SK海力士进行合作。
回复彩虹科技:如果使用MBCFET,在工艺自由度方面也会得到改善。MBCFET可以提供更低的工作电压,更高的电流效率(即驱动电流能力)和高设计灵活性。相反,MBCFET的性能和功率会增加到相似的水平,因此效率更高
回复彩虹科技:光刻胶产业还是日本强!不过韩国之前被日本卡了很多年脖子
回复彩虹科技:AMAT期待通过该技术提高EUV工艺的生产效率。他还解释说,正在与三星电子、SK海力士进行合作。

为您推荐

热门交流