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奥松半导体MEMS传感器基地举行开工仪式

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6月28日上午,奥松半导体8英寸MEMS特色芯片IDM产业基地项目在西部(重庆)科学城举行开工奠基仪式。

据介绍,项目总投资35亿元,用地约230亩,包含8英寸CMOS+ MEMS特色传感器芯片量产线、8英寸MEMS特色晶圆快速研发线、智能传感器创新研发中心、车规级传感器可靠性检测中心、产学研科研中心及奥松半导体研发办公大楼等建设项目,技术能力覆盖CMOS+ MEMS特色工艺,可全面开展表面硅、体硅以及新工艺、新器件、新系统的研发和量产;具有MEMS压阻、压电、硅光、磁材料、MOX、微流控等相关工艺的研发和量产设备,大幅提升产品研发的成功率,可实现各类MEMS半导体传感器产品从研发到量产的无缝衔接。

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