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半导体器件散热大突破,散热性提高25%

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韩国科学技术院(KAIST)日前宣布,机械工程系Bong Jae Lee教授的研究小组,成功测量了新观察到的由SPP在沉积在基板上的金属薄膜中引起的热传递,这还是全球范围内的第一次。韩国工程师们发现了一种利用表面等离子体激元(SPP)的新传热模式,在半导体热管理方面取得了重大突破。这种新方法将散热提高了 25%,对于解决小型半导体器件的过热问题至关重要。

缩小半导体尺寸的需求,加上器件热点处产生的热量不能有效分散的问题,对现代器件的可靠性和耐用性产生了负面影响。现有的热管理技术还不能胜任这项任务。因此,发现一种利用基板上金属薄膜产生的表面波来散热的新方法,确实是一个重要的突破。

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