回复汤圆爱科技：同时这项工作得到了南京大学电子科学与工程学院、江苏省先进光电材料重点实验室与南京大学微制造与集成工艺中心的支持。
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南京大学集成电路学院消息称，近日，南京大学庄喆、刘斌团队提出了一种GaN基Micro LED用准垂直MOSFET驱动的全氮化物单片集成方法，实现了对不同尺寸Micro LED芯片的电流驱动。相关研究工作近期已被发表在《IEEE Electron Device Letters》上。 南京大学研究团队利用MBE在商用LED外延片上二次生长了高质量的隧道结结构，隧道结一方面作为Micro LED的电流扩展层，一方面可与p-n结LED共同构成准垂直npn型MOSFET。制备过程中仅需采用一步刻蚀即可同时定义出Micro LED发光面积和MOSFET的沟道长度，通过n型GaN横向连接实现Micro LED与准垂直MOSFET的同质集成。GaN基MOSFETs具备与氧化物薄膜晶体管类似的电流驱动能力，并且整体集成方案制备难度较低，易与现有芯片结构与制备工艺兼容。
