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MOS管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。如何防止二次击穿？在开关管Q1关断时，变压器的原边线圈易产生尖峰电压和尖峰电流，如何吸收尖峰电压和电流？开关管的开关速度受什么元器件影响？
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