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MCU+PCAP01电容测量浮动很大而且位置平移也...

 酱香饼

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MCU+PCAP01电容测量浮动很大而且位置平移也会产生较大变动?
用STM32F1控制PCAP01测量电容,程序采用SPI通讯,读取PCAP01的寄存器,电容采集,采用的是漂移模式。使用后发现,电容采集过程中,波动较大,而且在采集过程中不能移动电容器位置。我在测量电容后,在相同环境下,稍稍平移下电容位置,再测,两次测量结果就相差很大,这是为什么啊?

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调试电路板的供电电源纹波要小,这样可以让系统更稳定运行,电容测量精度更好。寄存器设置成功后,就可以发送启动电容测量的命令了。
MCU+PCAPO1电容测量浮动很大而且位置平移也会产生较大变动。可能与电路中的干扰、校准或参考电压有关。检查电路设计,考虑加入滤波、校准等措施
通过使用多次采样平均的方式,可以减小电容测量的误差,并提高测量精度。此外,在测量前可以预先将电容放电,避免电容残余电荷的干扰。也可以通过使用电容接触式或非接触式传感器等方式,减小系统的扰和误差。
在MCU+PCAPO1电容测量中,电容的浮动很大,主要是由于电容本身容值、质量等因素引起的。另外,电容与周围环境的温度、湿度、磁场等因素也会影响电容的测量精度因此,在测量电容时,需要减小外界干扰,并且可以采用高质量的电容,避免电容质量不良。

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