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 雨巷

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基本、单总线、电平转换 MOSFET 电路,MOSFET 两侧的逻辑高电平如何实现?其各自的电源提供快速模式 (400 kHz) I2C 信号或其他类似的快速数字接口的转换。MOSFET 的栅极被保持在低压供电水平。
当没有器件拉低总线线路电压时,MOSFET 是否可以导通?为什么MOSFET 两侧的总线保持为高电平,但处于不同的电压水平?

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BS170在最大限度地减少导通电阻,同时提供可靠和快速的开关性能,适合低电压、低电流开关应用。可以对像I2C和直接GPIO引脚到引脚连接这样的通信方式实现电平位移。适当地选择MOSFET就可以实现更高的逻辑电压。
当 MOSFET 的栅极电压在两个值(高电平和低电平)之间切换时,MOSFET 表现为类似于单刀单掷的开关,此时几乎没有电流流过通道。
MOSFET的栅极被保持在低压供电水平,MOSFET的栅源电压(VGS)低于阈值,MOSFET不导通。这使得MOSFET漏极的总线电压被高压上拉电阻拉起。

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