VZ1为稳压管防止栅极电压过高击穿MOS管。NMOS的导通电阻比PMOS的小，最好选择NMOS。只有20毫欧实际损耗很小，2A的电流，功耗为0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
落霞与孤鹜齐飞
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N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接与电源和负载之间，R1为MOS管提供偏置电压，如何控制电路的导通和断开，防止反接，从而防止电源反接给负载带来损坏？VZ1为稳压管防止栅极电压过高击穿MOS管。NMOS与PMOS怎么选择？
