在门极驱动脉冲丢失的时间内，MOS 无驱动，体二极管导通，存在巨大热损耗，同时在下一次开通瞬间，存在较大的充电电流尖峰。在门极驱动脉冲常开的时间内，MOS 常通，电解电容反复充放电，导致发热严重。
落霞与孤鹜齐飞
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如图是电荷泵驱动内部图，Ci是小电容，充放电速度快，Co是大电容，负载能力强。如何将Ci上的电荷搬运到Co上，得到比输入电压更高的驱动电压？当需要驱动NMOS导通时，使能开关S0。当不需要驱动NMOS导通时，失能S0。
