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东芝器件及存储在“TECHNO-FRONTIER 2023”上展出了最新一代SiC（碳化硅）功率器件和GaN（氮化镓）功率器件。这是GaN功率器件首次展出。 该公司计划于2024年进入GaN功率器件市场，目前正在开发其首款产品，即击穿电压为650V、导通电阻为35mΩ（典型值）的器件。该公司独特的常开器件和共源共栅配置使得可以使用外部栅极电阻来控制开关期间的电压变化，并确保高阈值电压并减少故障发生的可能性，这就是它的意义。
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