开关速度根据栅极电阻器值而有所不同。增大栅极电阻器值会降低MOSFET 的开关速度，并增大其开关损耗。减小栅极电阻器值会增大MOSFET 的开关速度， 但由于线路杂散电感和其它因素的影响，可能在其漏极端子和源极端子之间产生了尖峰电压。
雨巷
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假设可变电阻器是光敏电阻器，我需要晶体管摆脱线性区（作为开关工作）并使栅极忽略饱和阈值以下的电压。我必须在这个电路中添加什么？ 电位器实际上是一个原电阻器，但是当光敏电阻器处于中间激发状态时，我得到了线性行为。 根据Every Circuit（我捕获图像的软件），它不起作用，应该尝试在 MOSFET 栅极之前添加类似的东西吗？
