当输入电压，即栅极电压低于某一临界电压时，MOSFET处于截止区。在此区域内，MOSFET的电流非常小，可以视为完全断开。当输入电压逐渐增加到临界电压以上，MOSFET进入线性区。在此区域内，输出电流随输入电压的增加而线性增加。
雨巷
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问题 1： 齐纳二极管的额定电压为 12V。 我想模拟流过两个 MOSFET 的 12A 电流因此，对于 16V 输入电压，我计算出电阻为 1.33 欧姆，以获得 12A 的电流。但当两个 MOSFET 都导通时，流经它们的漏极电流仅为 91mA。有人能告诉我问题是什么以及为什么我没有得到 12A 的漏极电流吗？我尝试在工具中更改 Rds(on) MOSFET 参数，但无法找到并更改它。 下一个问题： 当我向底部 MOSFET 的栅极施加 -14V 的负电压（如下所示）时，齐纳阴极处的电压为 2.195，MOSFET 节点之间的电压为 2.7V，电流为 6.4mA？ 谁能告诉我这个2.195V和2.7V是怎么出现的？
