中国领先的工业平台
下载贤集网APP入驻自媒体
使用如下所示的可调谐电阻器架构作为忆阻器，采用较低的技术（45nm 也低于该技术）？应该在哪里添加电容器来恢复信号（电压）？请向我建议任何其他忆阻器架构（mos 实现）的方法，谢谢。 我尝试使用 2 到 3 架构，但未能产生偏差，因为当前源是串联的。
阅读更多内容
狠戳这里
分享到
还没有人回复哦，抢沙发吧~
史上最严电池标准将至，芳纶涂覆隔膜能否撑起电池安全一片天？
280项专利傍身！24年磨剑，“苏州造”电动工具开关成功登陆A股
营收1291亿！电机巨头抢占全球70%市场，究竟做对了什么？
匠心20载终成“工匠”，背后有啥故事？走进汤沸涛的电气人生
探秘电力系统稳定技术：守护万家灯火的幕后英雄
从-60℃至800℃！让一根电缆实现“战场级”可靠性，它凭的是啥？
破解大容量装置发热难题！欧姆龙创新技术按下继电器“降温键”
从传统制造到量子科技，西开有限如何实现跨越式发展？
真空浇注、安装大脑…“江苏造”变压器打响梅雨季电力保卫战
废旧电池变废为宝？揭秘未来最火的循环经济
雨巷
