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想在Cadence中设计一个NMOS变容二极管。其中NMOS的源极和漏极短接在一起，如图所示。栅极由另一个电压控制。拥有此 S/D 栅极 NMOS 变容二极管所需的所有参数。 我想知道如何绘制具有不同 (W/L) 值的 MOS 变容器的 Cv 与 Vgb，如附图所示。如果有人能连续指出如何使用 Cadence 在 UMC 130nm 工艺中模拟这个 MOS 变容器的步骤，那将会非常有帮助。
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