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设计一种使用N沟道MOSFET背对背源极串联连接的...

 落霞与孤鹜齐飞

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设计一种使用N沟道MOSFET背对背源极串联连接的双向MOSFET开关。我正在使用 TLP250 驱动器,如下图所示,如何将驱动器连接到 MOSFET ?
两种不同的连接 MOSFET 和驱动器的方法,原理图如下图 A 和 B 所示: 在原理图 A 中,MOSFET 的栅极引脚被下拉至 GND,而在原理图 B 中,我将源引脚直接连接到 GND(或者应该将其下拉到 GND?)。
您有更好的解释吗?谢谢您有时间回答。

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MOSFET功率场效应晶体管,大多数用作开关和驱动器,工作于开关状态,耐压从几十伏到上千伏,工作电流可达几安培到几十安。功率MOSFET基本上都是增强型MOSFET。
这两种接法都可以实现MOSFET的开关功能,但是在实际应用中,需要根据具体需求和MOSFET的参数来选择合适的接法。一般来说,如果需要快速关断MOSFET,可以采用原理图A的接法;如果需要快速导通MOSFET,可以采用原理图B的接法。
当 MOSFET 导通时,源极和漏极之间的电压会降至很低,如果源极引脚没有下拉到 GND,则源极和漏极之间的电压可能会受到干扰,导致 MOSFET 误动作。

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